大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó一什么颗粒填量词二年级，一什么颗粒填量词？)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　一什么颗粒填量词二年级，一什么颗粒填量词？　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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